氧和水份對合成反應傷害很(hen)大(da)

       影響(xiang)三氯氫硅生產合成的(de)因(yin)素主要有：溫度、氧和(he)(he)水分的(de)影響(xiang)、游離氯的(de)控制、硅粉粒度、料層高(gao)度和(he)(he)氯化氫流量。以(yi)下針對(dui)影響(xiang)因(yin)素作(zuo)簡(jian)要概述。

       硅粉粒(li)度

       硅粉與氯化氫氣體反應是在硅(gui)的(de)(de)表面進行的(de)(de)，硅(gui)粉(fen)比表面積越大(da)，越有(you)利(li)于反應，即要求硅(gui)粉(fen)粒(li)(li)度(du)應該(gai)較小。但是粒(li)(li)度(du)過小，流化(hua)(hua)時容易形成(cheng)聚式(shi)流化(hua)(hua)床(chuang)，有(you)較多的(de)(de)氣泡(pao)，將抑制傳質進行，使(shi)氯(lv) 化(hua)(hua)氫的(de)(de)一次(ci)轉化(hua)(hua)率(lv)降(jiang)低，同(tong)時，較小的(de)(de)顆粒(li)(li)迅速(su)反應，很(hen)快就達到帶出粒(li)(li)徑范(fan)圍，使(shi)硅(gui)粉(fen)的(de)(de)利(li)用(yong)率(lv)降(jiang)低。因此，選用(yong)粒(li)(li)度(du)適中的(de)(de)硅(gui)粉(fen)是很(hen)重(zhong)要的(de)(de)。

       氧和水份(fen)的(de)影響

       氧和水份對合成(cheng)反(fan)應傷(shang)害很大，因(yin)為(wei)Si-0化(hua)學鍵比Si-Cl化(hua)學鍵更(geng)穩定，進入(ru)系(xi)統的氧元素都會與硅(gui)合成(cheng)硅(gui)膠(jiao)或硅(gui)氧烷類物(wu)質，一方面在硅(gui)粉表(biao)面形成(cheng)一層致密的氧化(hua)膜，影響(xiang)反(fan)應的正常進行，使產物(wu)中(zhong)三(san)氯氫硅(gui)含量降低，此(ci)外還形成(cheng)硅(gui)膠(jiao)類物(wu)質堵塞管道(dao)，使生產系(xi)統發生故障。

     ;  料層(ceng)高度和(he)氯化氫流量

       有形成“管涌”的(de)可能性，如(ru)果料層過低，產(chan)生不均勻(yun)沸騰(teng)，反應的(de)接觸(chu)時間也縮短，產(chan)量會降低。氯化氫的(de)流(liu)量決定(ding)(ding)了顆粒(li)床的(de)流(liu)化狀態。具體的(de)料層高度和氯化氫流(liu)量需通(tong)過實際生產(chan)實踐確定(ding)(ding)。

       氯化氫中游離氯的控制

       游(you)(you)離氯(lv)(lv)(lv)對合成(cheng)爐(lu)的(de)(de)影響主要是兩個方(fang)面：一(yi)是含(han)(han)量過高有(you)爆(bao)炸危險，另(ling)外是會影響合成(cheng)的(de)(de)質量。通過氯(lv)(lv)(lv)化氫(qing)合成(cheng)爐(lu)反應時氫(qing)過量4%左右來(lai)控(kong)制游(you)(you)離氯(lv)(lv)(lv)，并用含(han)(han)量檢測儀連續檢測氯(lv)(lv)(lv)化氫(qing)的(de)(de)質量來(lai)確(que)保游(you)(you)離氯(lv)(lv)(lv)含(han)(han)量低于(yu)生產要求

       三(san)氯(lv)(lv)氫硅(gui)生產合成中，用到(dao)的材料其特殊性，直(zhi)接關系到(dao)三(san)氯(lv)(lv)氫硅(gui)的產品(pin)(pin)品(pin)(pin)質(zhi)，以及合成過程的正常運行。

       山東言赫化工有限公司專業經營淄博萬達利特種氣體公司生產的氯化氫是在淄博齊魯石化工業園區注冊的高新科技企業，淄博萬達利直屬于北京華宇同方，主要從事新材料技術和化工新技術的研發，以及高新技術產品的生產和銷售。研發的沸石催化劑及其應用技術處于世界先進水平.生產的“華宇同方”牌高純氯化氫產(chan)品與國際知(zhi)名(ming)品牌的(de)性能相(xiang)當,為(wei)半導體器件制造業、光伏產(chan)業和醫藥(yao)工業提供(gong)了充足的(de)優質原材料。